半导体晶圆CMP研磨盘/抛光盘材料开发/晶圆CMP研磨盘/抛光盘-士元减速机厂家

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32B硅晶圆研磨盘

22B碳化硅晶圆研磨盘

30B低膨胀系数合金抛光盘

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22B碳化硅晶圆研磨盘

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◆ 铸造研磨盘关键特性

研磨盘采用特殊的铸造热处理工艺技术，确保上、下研磨工作面在30 mm 深度范围内实现零铸造缺陷;盘面金相组织、硬度与被研磨晶圆材料高度适配，确保晶圆TTV
精度，磨削效率和磨盘使用寿命具备优异的竞争力。

◆ 低膨胀系数合金抛光盘关键特性

低膨胀系数合金抛光盘采用锻造工艺技术，替代国外传统的半导体铸造合金抛光盘，完全避免因铸造缺陷造成内部冷却水道渗水泄漏风险;
低膨胀系数合金材料20-100°C 范围内线性热膨胀系数值小于1.5E-06/K;盘面在不同工作温度下均保持盘型稳定可控，保证晶圆抛光TTV
精度和抛光效率。